اثر آلایش نقره (ag) بر ویژگی های ساختاری، اپتیکی، فوتوکاتالیستی و مغناطیسی اکسید روی

در سال¬های اخیر، گروهی از اکسیدهای فرومغناطیسی رقیق¬شده، که نیمه¬رساناهایی با گاف¬ انرژی پهن هستند و دمای کوری بیشتری نسبت به دمای اتاق دارند، مورد توجه قرار گرفته¬اند. به تازگی، اکسید روی به دلیل قیمت ارزان، فراوانی، سازگاری با محیط زیست، گاف انرژی پهن 3/3 ev ، انرژی بستگی اکسیتونی 60 mev و دسترسی به نمونه¬های حجمی تک بلور با کیفیت بالا و بزرگ به صورت گسترده¬ای مطالعه شده است. اکسید روی به علت مشخصه¬های یاد شده، یکی از بهترین انتخاب¬ها برای استفاده در صنعت اپتوالکترونیک می¬باشد. برای فهم آن، هر دو نوع n و p اکسید روی نیاز است. از طرفی فقدان آلایش نوع p در اکسید روی مانع از استفاده¬ی گسترده از اکسید روی در ابزارهای اپتوالکترونیکی می¬شود. از سوی دیگر، اکسید روی به دلیل خاصیت فوتوکاتالیستی خود، قادر به تجزیه¬ی آلاینده¬ها در فاضلاب¬های صنعتی است. در میان مطالعات انجام شده، نقره کاندیدای مناسبی برای تولید آلایش نوع p و بهبود فعالیت فوتوکاتالیستی اکسید روی است. در این پروژه نانوذرات اکسید روی خالص و آلایش¬یافته با نقره برای دستیابی به آلایش نوع p ساختار ورتسایت اکسید روی به روش تجزیه¬ی حرارتی استات¬ها سنتز شدند. برای بررسی بازده فوتوکاتالیستی این نانوذرات، از آزمون تخریب متیل بنفش استفاده شد. بررسی¬های ما تشکیل ساختار ورتسایت هگزاگونال، کاهش گاف انرژی و تولید آلایش نوع p در این نمونه¬ها را نشان می¬دهد. همچنین این نانوذرات دارای نظم فرومغناطیسی هستند و پاسخ مناسبی به آزمون تخریب متیل بنفش از خود نشان می¬دهند.